[发明专利]一种配合纠错磁性随机存储器使用的缓存系统在审
| 申请号： | 201810699312.4 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN110660422A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 王春林;戴瑾 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 31287 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种配合纠错磁性随机存储器使用的缓存系统，包括MRAM存储模块、错误检测和矫正电路、控制电路、缓存，控制电路接受读写操作指令并控制错误检测和矫正电路与缓存；读写数据时，控制电路首先检测该数据是否在缓存中，若在，则直接对缓存中数据操作；若要读的数据不在缓存中，则控制电路将MRAM存储模块中已存有的数据读出并经过错误检测和校正电路处理后写入缓存并返回给外部电路。本发明公开的缓存系统，若独立存在，对整块MRAM仅需少量存储和控制电路；若作为CPU缓存的一部分，则优势更大，几乎无需付出额外成本代价，修改现有CPU的缓存机制，就可以解决含纠错功能的MRAM的写速度问题。 | ||
| 搜索关键词： | 缓存 控制电路 存储模块 错误检测 缓存系统 矫正电路 磁性随机存储器 错误检测和校正 读写操作指令 电路处理 读写数据 额外成本 缓存机制 纠错功能 数据操作 速度问题 外部电路 纠错 整块 读出 存储 写入 返回 检测 配合 | ||
【主权项】：
1.一种磁性随机存储器，其特征在于，包括MRAM存储模块、错误检测和矫正电路、控制电路、缓存，所述控制电路接受读写操作指令并控制所述错误检测和矫正电路与所述缓存；/n读写数据时，所述控制电路首先检测该数据是否在所述缓存中：若该数据已在所述缓存中，则直接对所述缓存中的该数据进行操作；若该数据不在所述缓存中，则所述控制电路将所述MRAM存储模块中已存有的数据读出并经过所述错误检测和校正电路处理后写入所述缓存并返回给外部电路；/nN个比特的主体码经所述错误检测和矫正电路处理后产生K个比特的纠错码，所述N个比特的主体码称为长字，包含在所述长字内且比N个比特短的字称为短字；/n若要写的数据为长字，所述控制电路将该数据写入所述缓存中并经过所述错误检测和校正电路处理后写入所述MRAM存储模块；/n若要写的数据为短字，所述控制电路将所述MRAM存储模块中已存有的数据读出并经过所述错误检测和矫正电路处理，再把要写入的数据与所述已存有的数据合并成新数据，然后由所述错误检测和矫正电路处理产生新校验位，将所述新数据和所述新校验位一并写入所述MRAM存储模块。/n
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