[发明专利]一种浪涌保护器件及其组成的芯片、通信终端有效
申请号: | 201810703843.6 | 申请日: | 2018-06-30 |
公开(公告)号: | CN108879634B | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
发明(设计)人: | 李艳伟;林升 | 申请(专利权)人: | 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司 |
主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04 |
代理公司: | 北京汲智翼成知识产权代理事务所(普通合伙) 11381 | 代理人: | 陈曦 |
地址: | 300457 天津市滨海*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了一种浪涌保护器件及其组成的芯片、通信终端。该浪涌保护器件包括输入焊盘与输出焊盘,输入焊盘连接电源电压,输出焊盘连接地线,输入焊盘与输出焊盘之间设置NMOS晶体管组,NMOS晶体管组通过金属走线分别与输入焊盘、输出焊盘连接;其中,改变NMOS晶体管组分别与输入焊盘和输出焊盘之间的金属走线结构和/或NMOS晶体管组的结构,以减小或抵消沿着电源电压走线方向上各NMOS晶体管组分别到输入焊盘和输出焊盘的金属走线长度不同而导致的NMOS晶体管组导通不均匀,从而增强本浪涌保护器件的导通均匀性,提高本浪涌保护器件的防浪涌能力。 | ||
搜索关键词: | 一种 浪涌保护器 及其 组成 芯片 通信 终端 | ||
【主权项】:
1.一种浪涌保护器件,其特征在于包括输入焊盘与输出焊盘,所述输入焊盘连接电源电压,所述输出焊盘连接地线,所述输入焊盘与所述输出焊盘之间设置NMOS晶体管组,所述NMOS晶体管组通过金属走线分别与所述输入焊盘、所述输出焊盘连接;其中,分别改变所述NMOS晶体管组与所述输入焊盘和所述输出焊盘之间的金属走线结构,以减小或抵消沿着电源电压走线方向上各所述NMOS晶体管组分别到所述输入焊盘和所述输出焊盘的金属走线长度不同而导致的所述NMOS晶体管组导通不均匀。
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