[发明专利]一种浪涌保护器件及其组成的芯片、通信终端有效

专利信息
申请号: 201810703843.6 申请日: 2018-06-30
公开(公告)号: CN108879634B 公开(公告)日: 2022-03-04
发明(设计)人: 李艳伟;林升 申请(专利权)人: 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04
代理公司: 北京汲智翼成知识产权代理事务所(普通合伙) 11381 代理人: 陈曦
地址: 300457 天津市滨海*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种浪涌保护器件及其组成的芯片、通信终端。该浪涌保护器件包括输入焊盘与输出焊盘,输入焊盘连接电源电压,输出焊盘连接地线,输入焊盘与输出焊盘之间设置NMOS晶体管组,NMOS晶体管组通过金属走线分别与输入焊盘、输出焊盘连接;其中,改变NMOS晶体管组分别与输入焊盘和输出焊盘之间的金属走线结构和/或NMOS晶体管组的结构,以减小或抵消沿着电源电压走线方向上各NMOS晶体管组分别到输入焊盘和输出焊盘的金属走线长度不同而导致的NMOS晶体管组导通不均匀,从而增强本浪涌保护器件的导通均匀性,提高本浪涌保护器件的防浪涌能力。
搜索关键词: 一种 浪涌保护器 及其 组成 芯片 通信 终端
【主权项】:
1.一种浪涌保护器件,其特征在于包括输入焊盘与输出焊盘,所述输入焊盘连接电源电压,所述输出焊盘连接地线,所述输入焊盘与所述输出焊盘之间设置NMOS晶体管组,所述NMOS晶体管组通过金属走线分别与所述输入焊盘、所述输出焊盘连接;其中,分别改变所述NMOS晶体管组与所述输入焊盘和所述输出焊盘之间的金属走线结构,以减小或抵消沿着电源电压走线方向上各所述NMOS晶体管组分别到所述输入焊盘和所述输出焊盘的金属走线长度不同而导致的所述NMOS晶体管组导通不均匀。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司,未经唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810703843.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top