[发明专利]氮化钨阻挡层沉积在审
| 申请号： | 201810708233.5 | 申请日： | 2018-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN109216205A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 罗希特·哈雷;贾丝明·林;阿南德·查德拉什卡 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;邱晓敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及氮化钨阻挡层沉积，具体提供了氮化钨(WN)沉积的方法。还提供了用于钨(W)触点与锗化硅(SiGe)层的叠层以及用于形成它们的方法。叠层包括SiGe/硅化钨(WSix)/WN/W层，其中WSix提供SiGe和WN层之间的欧姆接触。还提供了在使用六氟化钨(WF6)沉积含W膜中减少氟(F)对下层的侵蚀的方法。还提供了执行这些方法的装置。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化钨 阻挡层沉积 叠层 沉积 六氟化钨 欧姆接触 硅化钨 锗化硅 触点 下层 侵蚀 | ||
【主权项】：
1.一种方法，其包括：提供形成在衬底上的介电层和硅锗(SiGe)层中的特征，其中所述特征包括SiGe表面；将所述SiGe表面暴露于氮自由基以处理所述SiGe表面；在经处理的所述SiGe表面上沉积钨(W)层；以及沉积与所述特征共形的氮化钨(WN)层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
