[发明专利]金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

摘要

一种金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板，包括衬底基板、栅极、栅极绝缘层、金属氧化物半导体层和信号线，信号线与金属氧化物半导体层通过同一个光罩制程形成在栅极绝缘层上；蚀刻阻挡层覆盖金属氧化物半导体层和部分信号线使得信号线包括覆盖区域和未覆盖区域；导电条与源极和漏极通过同一个光罩制程形成且导电条形成在信号线的未覆盖区域上；绝缘平坦层形成在蚀刻阻挡层上；公共电极和像素电极，相互绝缘地形成在绝缘平坦层上方，公共电极与导电条电连接，像素电极与漏极电连接。金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及其制作方法可提高像素开关的基本性能。

主权项

1.一种金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，该制作方法包括：在衬底基板(10)上形成栅极(21)；在该栅极(21)上依次形成栅极绝缘层(101)和金属氧化物层(102)；在该金属氧化物层(102)上涂布光阻(102′)，并对信号线区域(202)上的光阻(102′)进行半曝光，使得在显影后留下的光阻(102′)中，信号线区域(202)上的光阻厚度(T2)小于半导体层区域(201)上的光阻厚度(T1)；蚀刻去除掉半导体层区域(201)和信号线区域(202)之外的金属氧化物层(102)以形成位于半导体层区域(201)的金属氧化物半导体层(22)，去除信号线区域(202)上的光阻(102′)，将信号线区域(202)的金属氧化物层(102)进行离子注入由半导体转化为导体形成位于信号线区域(202)的信号线(25)；去除半导体层区域(201)上的光阻(102′)；在该金属氧化物半导体层(22)和信号线(25)上形成蚀刻阻挡层(103)，蚀刻阻挡层(103)覆盖金属氧化物半导体层(22)和部分信号线(25)使得信号线(25)包括覆盖区域(251)和未覆盖区域(252)；形成源极(23)、漏极(24)和导电条(26)，源极(23)和漏极(24)形成在位于金属氧化物半导体层(22)上方的蚀刻阻挡层(103)上，源极(23)和漏极(24)相互间隔并分别与位于金属氧化物半导体层(22)上方的蚀刻阻挡层(103)接触连接，导电条(26)形成在信号线(25)的未覆盖区域(252)上与信号线(25)接触连接；以及形成绝缘平坦层(30)并在绝缘平坦层(30)上方形成相互绝缘的公共电极(13)和像素电极(14)，公共电极(13)与导电条(26)电连接，像素电极(14)与漏极(24)电连接。