[发明专利]具有带有腔体的TIV的InFO-POP结构有效
| 申请号： | 201810717245.4 | 申请日： | 2018-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN109585388B | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 林俊成;余振华;蔡柏豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/535;H01L25/065;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种形成封装件的方法，包括：分布位于载体上方的牺牲区域；形成位于载体上方的金属柱。金属柱与牺牲区域的至少一部分重叠。该方法还包括：将金属柱和牺牲区域包封在包封材料中；从载体上卸下金属柱、牺牲区域和包封材料；以及去除牺牲区域的至少一部分，以形成从包封材料的表面水平延伸至包封材料内的凹槽。本发明实施例涉及具有带有腔体的TIV的InFO‑POP结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 带有 tiv info pop 结构 | ||
【主权项】：
1.一种封装件，包括：第一芯片；多个金属柱，围绕所述第一芯片，其中，所述多个金属柱包括凹进的第一金属柱；包封材料，围绕所述第一芯片和所述多个金属柱，其中，所述凹进的第一金属柱的顶面包括低于所述包封材料的顶面水平的第一部分；重分布结构，位于所述第一芯片和所述多个金属柱下面，并电连接至所述第一芯片和所述多个金属柱；多个连接焊盘，位于所述重分布结构下面，并电连接至所述重分布结构；以及第二芯片，电连接至所述凹进的第一金属柱。
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