[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201810718141.5 | 申请日： | 2018-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN109390406A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 尹彰燮;崔秉夏;金旲根;金秀珉;朴世玩;李志镐 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括鳍型图案、在鳍型图案的侧壁的一部分上的场绝缘膜、以及在鳍型图案和场绝缘膜上与鳍型图案相交的栅极电极。场绝缘膜上的栅极电极包括场绝缘膜上的第一部分、第二部分和第三部分。第一部分的第一宽度随着距场绝缘膜的第一距离增大而增大，第二部分的第二宽度随着距场绝缘膜的第二距离增大而减小，并且第三部分的第三宽度随着距场绝缘膜的第三距离增大而增大或基本恒定。 | ||
| 搜索关键词： | 场绝缘膜 鳍型 半导体器件 距离增大 图案 栅极电极 基本恒定 侧壁 减小 相交 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：鳍型图案；在鳍型图案的侧壁的一部分上的场绝缘膜；以及在鳍型图案和场绝缘膜上的栅极电极，其中栅极电极与鳍型图案相交，其中，所述栅极电极包括依次布置在所述场绝缘膜上的第一部分、第二部分和第三部分，其中所述第一部分的第一宽度随着距所述场绝缘膜的第一距离增大而增大，其中所述第二部分的第二宽度随着距所述场绝缘膜的第二距离增大而减小，其中所述第三部分的第三宽度随着距所述场绝缘膜的第三距离增大而增大或基本恒定，并且其中所述第一距离小于所述第二距离并且所述第二距离小于所述第三距离。
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