[发明专利]金属材料、金属-液晶聚合物复合体及其制造方法、以及电子部件在审
| 申请号： | 201810722491.9 | 申请日： | 2013-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN108998793A | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 古泽秀树 | 申请（专利权）人： | JX日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C26/00 | 分类号： | C23C26/00;H01G4/224;H01G9/08;H01G9/10;H01L23/433;H01L33/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 卢曼;杨戬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有以良好的密合力与液晶聚合物接合的表面的金属材料、金属‑液晶聚合物复合体及其制造方法、以及电子部件。所述金属材料为具有用于与液晶聚合物接合的表面的金属材料，在由STEM得到的上述表面的最表层10nm以内的EDS(能量分散X射线分析)的浓度分布中，Si、Ti、Al、Zr、Sn、Mg、Ce中任一层的厚度为1nm以上。 | ||
| 搜索关键词： | 液晶聚合物 金属材料 电子部件 接合 复合体 能量分散X射线分析 金属 浓度分布 最表层 制造 | ||
【主权项】：
1.一种金属材料，其是具有用于与液晶聚合物接合的表面的金属材料，其中，在由STEM得到的所述表面的最表层10nm以内的EDS的浓度分布中，Si、Ti、Al、Zr、Sn、Mg、Ce中任一层的厚度为1nm以上，所述EDS是指能量分散X射线分析，在所述表面的Si、Ti、Al、Zr、Sn、Mg、Ce的下方，具有Cu、Al、Cr、Ag、Ni、In、Sn中任一种以上的金属或其氧化物的层。
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