[发明专利]基片处理装置、基片处理方法和存储介质在审
| 申请号： | 201810723397.5 | 申请日： | 2018-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN109216236A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 丸本洋 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;B08B3/02 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;徐飞跃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种在使用处理液(例如DIW)处理基片后使基片干燥的方法。该方法包括：对基片(W)供给挥发性比处理液高的第一干燥液(例如IPA)形成液膜后，一边使基片旋转，一边以从基片的旋转中心(O)至第一干燥液的供给位置(P1)的距离(R1)逐渐增大的方式使第一干燥液的供给位置移动，从而一边使干燥区域(DC)呈同心圆状不断扩大，一边使基片干燥的干燥步骤。该干燥步骤包括一边将第一干燥液供给到基片一边将第二干燥液供给到基片的步骤，此时的基片的旋转中心至第二干燥液的供给位置(P2)的距离(R1)，大于基片的旋转中心至第一干燥液的供给位置(P1)的距离(R2)。由此，能够使干燥界面的干燥条件最佳化并防止液膜在基片表面上崩坏。 | ||
| 搜索关键词： | 干燥液 供给位置 旋转中心 基片干燥 处理液 基片处理装置 存储介质 干燥区域 干燥条件 基片表面 基片处理 同心圆状 逐渐增大 挥发性 防止液 最佳化 液膜 移动 | ||
【主权项】：
1.一种基片处理方法，其特征在于，包括：使用处理液来处理基片的处理步骤；和干燥步骤，对旋转的所述基片供给挥发性比所述处理液高的第一干燥液而形成液膜之后，以所述基片上的从所述基片的旋转中心至所述第一干燥液的供给位置的距离逐渐增大的方式使所述第一干燥液的所述供给位置移动，从而一边使干燥区域呈同心圆状不断扩展，一边使所述基片干燥，所述干燥步骤包括一边将所述第一干燥液供给到所述基片，一边将挥发性比所述处理液高的第二干燥液供给到所述基片的步骤，此时的所述基片上的从所述基片的旋转中心至所述第二干燥液的供给位置的距离，大于从所述基片的旋转中心至所述第一干燥液的供给位置的距离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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