[发明专利]三维存储器件及在其阶梯区形成接触孔的方法

摘要

一种在三维存储器件的阶梯区形成接触孔的方法，包括以下步骤：提供半导体结构，半导体结构具有阶梯区，阶梯区具有多个阶梯结构，每个阶梯结构包括从上到下交替堆叠的至少一介质层和至少一导电层；从各阶梯结构的至少一导电层被暴露的侧壁去除一部分导电层材料，以形成相对于相邻的介质层的凹陷；在阶梯区覆盖绝缘层，绝缘层填充各凹陷；去除阶梯区上表面的绝缘层和介质层，以暴露各阶梯结构顶部的第一导电层，同时保留位于各凹陷的绝缘层；在各阶梯结构顶部的第一导电层上形成第二导电层；以及在各阶梯结构上形成接触孔。本发明通过加厚阶梯区的导电层的厚度，为接触孔的刻蚀提供了更大的裕量，从而降低了接触孔刻蚀穿通的概率。

主权项

1.一种在三维存储器件的阶梯区形成接触孔的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构具有阶梯区，所述阶梯区具有多个阶梯结构，每个阶梯结构包括从上到下交替堆叠的至少一介质层和至少一导电层；从各阶梯结构的所述至少一导电层被暴露的侧壁去除一部分导电层材料，以形成相对于相邻的介质层的凹陷；在所述阶梯区覆盖绝缘层，所述绝缘层填充各凹陷；去除所述阶梯区上表面的绝缘层和介质层，以暴露各阶梯结构顶部的第一导电层，同时保留位于各凹陷的绝缘层；在各阶梯结构顶部的所述第一导电层上形成第二导电层；以及在各阶梯结构上形成接触孔。