[发明专利]一种电容耦合PECVD装置用的基底材料载体在审
申请号: | 201810726972.7 | 申请日: | 2018-06-25 |
公开(公告)号: | CN110629189A | 公开(公告)日: | 2019-12-31 |
发明(设计)人: | 郝奕舟;陈剑豪;王天戌 | 申请(专利权)人: | 广州墨羲科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/458;C23C16/513 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 510623 广东省广州市越秀*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种电容耦合PECVD装置用的基底材料载体,属于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备的技术领域,包括电极片、基底材料夹持片、连接组件,其中,连接组件包括多个连接杆、间隔管和紧固螺母,多个连接杆穿入电极片和基底材料夹持片上开的多个槽孔中,间隔管套在连接杆上,间隔各片,连接杆两端使用紧固螺母紧固。通过本发明提供的技术方案,实现了在电容耦合PECVD生产石墨烯的工艺过程中,对基底材料为金属箔片的承载和等离子体的产生,解决了现有的大型电容耦合PECVD设备中没有适用于金属箔片的载体的技术空白。 | ||
搜索关键词: | 基底材料 连接杆 电容耦合 金属箔片 紧固螺母 连接组件 电极片 夹持片 间隔管 等离子体增强化学气相沉积 等离子体 连接杆两端 大型电容 工艺过程 技术空白 耦合 石墨烯 槽孔 穿入 紧固 套在 承载 生产 | ||
【主权项】:
1.一种电容耦合PECVD装置用的基底材料载体,包括电极片、基底材料夹持片(2)、连接组件,所述电极片和所述基底材料夹持片通过所述连接组件并列连接。/n
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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