[发明专利]SOI基复合集成PHEMT和MOSFET的外延结构及制备方法

摘要

本发明公开了SOI基复合集成PHEMT和MOSFET的外延结构及制备方法，该外延结构由复合集成在同一SOI衬底上的GaAs基PHEMT和MOSFET构成；SOI基PHEMT和MOSFET结构区被InGaP腐蚀隔离层隔开；制备方法为：在SOI衬底基础上生长GaAs层，再在GaAs层上依次生长各层得到PHEMT，InGaP腐蚀隔离层在GaAs N型高掺杂盖帽层上外延生长而成；MOSFET由在InGaP腐蚀隔离层上依次外延生长而成；经过相应的外延和材料沉积工艺，可以达到单片复合集成SOI基PHEMT和MOSFET器件的目的。本发明可用于5G通讯中将功放器件和模拟器件实现单芯片集成。

主权项

1.一种SOI基复合集成PHEMT和MOSFET的外延结构，其特征在于，该外延结构由复合集成在同一SOI衬底上的GaAs基PHEMT和MOSFET构成；所述PHEMT包括GaAs层，所述GaAs层生长在所述SOI衬底上，所述GaAs层上依次生长有GaAs缓冲层、AlGaAs沟道下势垒层、InGaAs沟道层、AlGaAs空间隔离层、平面Si掺杂层、AlGaAs势垒层和GaAs N型高掺杂盖帽层；所述GaAs N型高掺杂盖帽层上生长有用于隔开PHEMT和MOSFET的InGaP腐蚀隔离层；所述MOSFET包括SiO2层，所述SiO2层生长在所述InGaP腐蚀隔离层上，所述SiO2层上沉积有硅栅层。