[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201810731334.4 | 申请日： | 2018-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN109728093B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 萧孟轩;陈维宁;李东颖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;B82Y40/00;B82Y10/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蒋林清 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及一种半导体结构，其包括第一晶体管和第二晶体管。所述第一晶体管包括半导体衬底，其具有顶面和所述顶面处的掺杂有第一导电性掺杂剂的第一抗穿通区域。所述第一晶体管进一步包括位于所述半导体衬底的所述顶面上方第一距离处的第一沟道。所述第二晶体管包括所述半导体衬底的所述顶面处的掺杂有第二导电性掺杂剂的第二抗穿通区域。所述第二晶体管进一步包括位于所述半导体衬底的所述顶面上方第二距离处的第二沟道，所述第二距离大于所述第一距离。本发明实施例还涉及一种用于制造本文中所描述的半导体结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其包含：第一晶体管，其包含：半导体衬底，其具有顶面和所述顶面处的掺杂有第一导电性掺杂剂的第一抗穿通区域；第一沟道，其位于所述半导体衬底的所述顶面上方第一距离处，其中所述第一沟道处的所述第一导电性掺杂剂的浓度低于所述半导体衬底的所述顶面处的所述第一导电性掺杂剂的浓度。
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