[发明专利]第四代双倍数据率内存的输入输出驱动器有效
| 申请号： | 201810731668.1 | 申请日： | 2018-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN110660431B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 周格至;谷立军 | 申请（专利权）人： | 瑞昱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4096 | 分类号： | G11C11/4096;G11C11/4094 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 梁丽超;刘彬 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了第四代双倍数据率内存的输入输出驱动器，包含预驱动器、上拉电路与下拉电路。该预驱动器耦接于第一高电位端与低电位端之间，提供第一与第二预驱动信号。该上拉电路包含：驱动PMOS晶体管，耦接于第二高电位端与上拉电阻之间，依据该第一预驱动信号以运作，该第二高电位端之电压不大于该第一高电位端之电压；以及该上拉电阻，耦接于该驱动PMOS晶体管与输出垫之间。该下拉电路包含：驱动NMOS晶体管，耦接于该低电位端与迭接NMOS晶体管之间，依据该第二预驱动信号以运作；该迭接NMOS晶体管耦接于该驱动NMOS晶体管与下拉电阻之间，依据偏压以运作；以及该下拉电阻，耦接于该迭接NMOS晶体管与该输出垫之间。 | ||
| 搜索关键词： | 第四 双倍 数据 内存 输入输出 驱动器 | ||
【主权项】：
1.一种第四代双倍数据率内存输入输出驱动器，包含：/n一预驱动器，电性连接于一第一高电位端与一低电位端之间，用来提供一第一预驱动信号与一第二预驱动信号；/n一上拉电路，包含：/n一驱动PMOS晶体管，电性连接于一第二高电位端与一上拉电阻之间，用来于一传输模式下依据该第一预驱动信号以运作，其中该第二高电位端之电压不大于该第一高电位端之电压；以及/n该上拉电阻，电性连接于该驱动PMOS晶体管与一输出垫之间；/n以及/n一下拉电路，包含：/n一驱动NMOS晶体管，电性连接于该低电位端与一迭接NMOS晶体管之间，用来依据该第二预驱动信号以运作；/n该迭接NMOS晶体管，电性连接于该驱动NMOS晶体管与一下拉电阻之间，用来依据一偏压以运作，其中该偏压不大于该第二高电位端之电压；以及/n该下拉电阻，电性连接于该迭接NMOS晶体管与该输出垫之间。/n
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