[发明专利]一种制备全部覆盖侧面电极的方法有效
| 申请号： | 201810736716.6 | 申请日： | 2018-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN109052311B | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 王文杰;谢武泽;李舒啸;安宁;李倩;曾建平 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 蒋斯琪 |
| 地址： | 621999 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备全部覆盖侧面电极的方法，属于光电子技术领域。步骤包括：A．清洗干燥；B．沉积钝化层；C．光刻刻蚀区；D．台面刻蚀；E．沉积金属；F．腐蚀钝化层；G．退火。通过本制备方法制备的侧面电极全部覆盖的微纳电子器件，可以降低电极接触所产生的非线性结电容和接触电阻，降低由电极接触带来的器件损耗，提升器件性能和稳定性；同时，本制备方法简单，电极可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 全部 覆盖 侧面 电极 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备全部覆盖侧面电极的方法，其特征在于，包括如下步骤：A．将半导体原材清洗干燥；B．在经步骤A处理后的半导体原材表面沉积钝化层；C．在钝化层上进行光刻处理，得到具有倾斜角度的光刻胶结构；光刻处理过程中，匀胶厚度为1.5～5um，前烘时间为60～140s，曝光时间为 3.5～8s ，显影时间为35～51s； D．在经步骤C处理后的半导体原材上刻蚀出台面陡直度为40～80°的台阶；E．在台阶上沉积金属，然后溶解光刻胶，于半导体原材侧面形成接触电极；F．将侧面形成接触电极的半导体原材腐蚀钝化层，形成侧面电极初品；G．将侧面电极初品进行退火处理，得侧面电极终产品。
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