[发明专利]一种核反应堆用锆包壳表面金属涂层PVD制备工艺有效

专利信息
申请号: 201810736912.3 申请日: 2018-07-06
公开(公告)号: CN108796454B 公开(公告)日: 2020-08-04
发明(设计)人: 杨红艳;张瑞谦;韦天国;邱绍宇 申请(专利权)人: 中国核动力研究设计院
主分类号: C23C14/32 分类号: C23C14/32;C23C14/16;C23C14/02
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人: 廖慧敏
地址: 610000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种核反应堆用锆包壳表面金属涂层PVD制备工艺,解决了现有技术制备出的涂层在涂层厚度、结合力、孔隙率上均达不到核反应堆包壳涂层材料的要求,无法应用到核反应堆包壳涂层材料的制备上的问题。本发明包括(1)对锆包壳基体进行表面前处理;(2)对锆包壳基体表面进行离子清洗;(3)在Ar气氛下,开启Cr弧靶,在锆包壳基体上形成Cr基础层;(4)调整弧电流、偏压、占空比,沉积120S~180S后形成Cr过渡层;(5)调整弧电流、偏压、占空比,沉积2h以上形成Cr超厚涂层;(6)关闭弧源,降温至80℃以下即可。本发明膜基结合力≥80N,涂层结晶度大于95%,锆基体晶粒度﹥9级,涂层锆包壳的耐腐蚀和抗高温氧化能力得到明显提高。
搜索关键词: 一种 核反应堆 用锆包壳 表面 金属 涂层 pvd 制备 工艺
【主权项】:
1.一种核反应堆用锆包壳表面金属涂层PVD制备工艺,其特征在于,包括:(1)对锆包壳基体进行表面前处理;(2)将锆包壳基体装在炉腔转架上,再在真空环境下加热,然后对锆包壳基体进行表面离子清洗;(3)在Ar气氛下,开启Cr弧靶,在锆包壳基体上形成Cr基础层;其中,Ar气压为0.2Pa~0.5Pa,偏压为‑600V~‑750V,占空比20%~30%,弧电流为110A~130A,时间为120S~180S;(4)调整弧电流至130A~150A、偏压至‑250V~‑300V、占空比至50%~70%,沉积120S~180S后形成Cr过渡层;(5)调整弧电流至160A~200A、偏压至‑100V~‑140V、占空比至40%~50%,沉积2h以上形成Cr超厚涂层;(6)关闭弧源及相关电源,降温至80℃以下后即可出炉。
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