[发明专利]晶片的加工方法在审
| 申请号： | 201810742797.0 | 申请日： | 2018-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN109285771A | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 淀良彰;襟立真奈 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成;褚瑶杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶片的加工方法，其能够抑制线状的带碎屑的产生。晶片的加工方法是在外周缘具有从表面至背面的圆弧的晶片的加工方法。该晶片的加工方法具备下述步骤：表面保护带粘贴步骤(ST1)，在晶片的表面粘贴表面保护带；保持步骤(ST2)，利用保持工作台对粘贴有表面保护带的晶片的背面侧进行保持；以及切削步骤(ST4)，在实施了保持步骤(ST2)之后将晶片的外周缘与表面保护带一起利用切削刀具进行切削而形成规定的深度和规定的宽度的阶部，在切削步骤(ST4)中，从晶片的外周侧朝向中心逐步形成阶部。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 表面保护 切削 加工 外周缘 阶部 粘贴 表面粘贴 切削刀具 工作台 碎屑 外周 线状 种晶 背面 | ||
【主权项】：
1.一种晶片的加工方法，其是在外周缘具有从表面至背面的圆弧的晶片的加工方法，其具备下述步骤：表面保护带粘贴步骤，在晶片的表面粘贴表面保护带；保持步骤，利用保持工作台对粘贴有该表面保护带的晶片的背面侧进行保持；以及切削步骤，在实施了该保持步骤之后，将晶片的外周缘与该表面保护带一起利用切削刀具进行切削，形成规定深度和规定宽度的阶部，在该切削步骤中，从晶片的外周侧朝向中心逐步形成该阶部。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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