[发明专利]通用测试插座、半导体测试装置及测试半导体器件的方法有效
申请号: | 201810747408.3 | 申请日: | 2018-07-09 |
公开(公告)号: | CN109239565B | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 山田大典;申东彦 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26;G01R1/04 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 李娜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供通用测试插座、半导体测试装置及测试半导体器件的方法。一种通用测试插座包括:第一子层,所述第一子层包括多个第一直通导体,所述多个第一直通导体以第一节距布置在第一基片中;和第二子层,所述第二子层包括多个第二直通导体,所述第二子层堆叠在所述第一子层上,使得所述多个第一直通导体与所述多个第二直通导体接触,所述多个第二直通导体以第二节距布置在第二基片中,所述第二节距小于或等于所述第一节距。 | ||
搜索关键词: | 通用 测试 插座 半导体 装置 半导体器件 方法 | ||
【主权项】:
1.一种通用测试插座,包括:第一子层,所述第一子层包括多个第一直通导体,所述多个第一直通导体以第一节距布置在第一基片中;和第二子层,所述第二子层包括多个第二直通导体,所述第二子层堆叠在所述第一子层上,使得所述多个第一直通导体与所述多个第二直通导体接触,所述多个第二直通导体以第二节距布置在第二基片中,所述第二节距小于或等于所述第一节距。
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