[发明专利]通用测试插座、半导体测试装置及测试半导体器件的方法有效

专利信息
申请号: 201810747408.3 申请日: 2018-07-09
公开(公告)号: CN109239565B 公开(公告)日: 2022-07-01
发明(设计)人: 山田大典;申东彦 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G01R1/04
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 李娜
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供通用测试插座、半导体测试装置及测试半导体器件的方法。一种通用测试插座包括:第一子层,所述第一子层包括多个第一直通导体,所述多个第一直通导体以第一节距布置在第一基片中;和第二子层,所述第二子层包括多个第二直通导体,所述第二子层堆叠在所述第一子层上,使得所述多个第一直通导体与所述多个第二直通导体接触,所述多个第二直通导体以第二节距布置在第二基片中,所述第二节距小于或等于所述第一节距。
搜索关键词: 通用 测试 插座 半导体 装置 半导体器件 方法
【主权项】:
1.一种通用测试插座,包括:第一子层,所述第一子层包括多个第一直通导体,所述多个第一直通导体以第一节距布置在第一基片中;和第二子层,所述第二子层包括多个第二直通导体,所述第二子层堆叠在所述第一子层上,使得所述多个第一直通导体与所述多个第二直通导体接触,所述多个第二直通导体以第二节距布置在第二基片中,所述第二节距小于或等于所述第一节距。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810747408.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top