[发明专利]具有异质结和改进的沟道控制的FinFET有效
| 申请号： | 201810750478.4 | 申请日： | 2014-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN108807544B | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | V·莫洛兹;S·L·史密斯;吕强 | 申请（专利权）人： | 美商新思科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及具有异质结和改进的沟道控制的FinFET。粗略地描述，一种计算机程序产品描述了具有鳍、鳍支撑部、栅极和栅极电介质的晶体管。鳍包括第一晶体半导体材料，该第一晶体半导体材料包括在第一晶体管的源极区域和该晶体管的漏极区域之间的该晶体管的沟道区域。鳍在鳍支撑部上。鳍支撑部包括与第一晶体半导体材料不同的第二晶体半导体材料。鳍的第一晶体半导体材料和鳍支撑部的第二晶体半导体材料在其间形成第一异质结。栅极、栅极电介质和/或隔离电介质可以被定位以改进沟道内的控制。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 异质结 改进 沟道 控制 finfet | ||
【主权项】：
1.一种制作第一晶体管和第二晶体管的方法，所述方法包括：在公共缓冲层上方外延形成第一区域和第二区域，所述第一区域由第一晶体半导体材料形成，所述第二区域由不同于所述第一晶体半导体材料的第二晶体半导体材料形成，并且所述公共缓冲层由第三晶体半导体材料形成；从所述第一区域形成第一鳍，所述第一鳍包括在所述第一晶体管的源极区域与所述第一晶体管的漏极区域之间的所述第一晶体管的第一沟道区域，所述第一鳍在第一鳍支撑部上；从所述公共缓冲层形成所述第一鳍支撑部，所述第一鳍的所述第一晶体半导体材料和所述第一鳍支撑部的所述第三晶体半导体材料在两者之间形成第一异质结；从所述第二区域形成第二鳍，所述第二鳍包括在所述第二晶体管的源极区域与所述第二晶体管的漏极区域之间的所述第二晶体管的第二沟道区域，所述第二鳍在第二鳍支撑部上；以及从所述公共缓冲层形成所述第二鳍支撑部，所述第二鳍的所述第二晶体半导体材料和所述第二鳍支撑部的所述第三晶体半导体材料在两者之间形成第二异质结。
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