[发明专利]一种电沉积半导体碳化硅复合镀层的方法在审
申请号: | 201810752894.8 | 申请日: | 2018-07-10 |
公开(公告)号: | CN108796565A | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
发明(设计)人: | 沈学如 | 申请(专利权)人: | 澳洋集团有限公司 |
主分类号: | C25D3/56 | 分类号: | C25D3/56;C25D15/00 |
代理公司: | 苏州市港澄专利代理事务所(普通合伙) 32304 | 代理人: | 马丽丽 |
地址: | 215600 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种电沉积半导体碳化硅复合镀层的方法,包括:(1)向碳化硅中加入无水乙醇,球磨12~36h,于80~100℃干燥3~5h,得到粒径为10~100nm的碳化硅粉末;(2)将上述碳化硅粉末加入镀液中,超声分散1~2h,使碳化硅粉末均匀地分散在镀液中,其中,所述镀液主要由150~170g/L的硫酸锌与50~80g/L的硫酸组成;(3)将预处理过的被镀物体置于上述含碳化硅粉末的镀液中进行电镀,电镀后分别用无水乙醇和去离子水清洗2~5次,干燥,得到半导体碳化硅复合镀层。本发明中,通过电沉积方法得到的半导体碳化硅复合镀层不仅具有致密的表面结构,而且,通过加入碳化硅粉末使得该复合镀层具有良好的耐磨性能。 | ||
搜索关键词: | 碳化硅粉末 碳化硅复合镀层 镀液 半导体 电沉积 无水乙醇 电镀 预处理 致密 表面结构 超声分散 复合镀层 耐磨性能 去离子水 硫酸锌 碳化硅 粒径 球磨 硫酸 清洗 | ||
【主权项】:
1.一种电沉积半导体碳化硅复合镀层的方法,其特征在于,包括:(1)向碳化硅中加入无水乙醇,球磨12~36h,于80~100℃干燥3~5h,得到粒径为10~100nm的碳化硅粉末;(2)将上述碳化硅粉末加入镀液中,超声分散1~2h,使碳化硅粉末均匀地分散在镀液中,其中,所述镀液主要由150~170g/L的硫酸锌与50~80g/L的硫酸组成;(3)将预处理过的被镀物体置于上述含碳化硅粉末的镀液中进行电镀,电镀后分别用无水乙醇和去离子水清洗2~5次,干燥,得到半导体碳化硅复合镀层。
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