[发明专利]一种通过湿度改造减少光罩雾面缺陷的方法有效
申请号: | 201810752955.0 | 申请日: | 2018-07-10 |
公开(公告)号: | CN108957962B | 公开(公告)日: | 2021-05-21 |
发明(设计)人: | 王泊涛;谢华;王猛 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种通过湿度改造减少光罩雾面缺陷的方法,属于微电子技术领域,包括:所述ArF准分子激光设备对位于所述掩膜台上的所述光罩进行所述曝光工艺时,控制所述气体管路中输送至所述掩膜台的所述压缩干燥空气的气体流量符合预设流量策略;所述预设流量策略为输出方向为朝向所述光罩的图形区域(Pattern)的气体流量为150L/min以及输出方向为朝向所述光罩的薄膜区域(Pellicle)的气体流量为80L/min。本发明的有益效果:由于不恰当的湿度是Haze多发的主要因素,设备方面通过调整压缩干燥空气的气体流量降低湿度,从而在保证设备精度的同时,改善Haze生长状况。 | ||
搜索关键词: | 一种 通过 湿度 改造 减少 光罩雾面 缺陷 方法 | ||
【主权项】:
1.一种通过湿度改造减少光罩雾面缺陷的方法,适用于进行光罩的曝光工艺的ArF准分子激光设备,所述ArF准分子激光设备包括用于进行所述曝光工艺的掩模台和用于在所述曝光工艺过程中向所述掩膜台输送压缩干燥空气的气体管路,其特征在于,所述方法包括:所述ArF准分子激光设备对位于所述掩膜台上的所述光罩进行所述曝光工艺时,控制所述气体管路中输送至所述掩膜台的所述压缩干燥空气的气体流量符合预设流量策略;所述预设流量策略为输出方向为朝向所述光罩的图形区域的气体流量为150L/min以及输出方向为朝向所述光罩的薄膜区域的气体流量为80L/min。
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