[发明专利]一种像素限定层结构及其制备方法在审
申请号: | 201810755437.4 | 申请日: | 2018-07-11 |
公开(公告)号: | CN109037490A | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 查宝 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/54 | 分类号: | H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种像素限定层结构的制备方法,包括提供基板,在基板上间隔设置多个像素界定结构;配制聚噻吩衍生物溶液,将聚噻吩衍生物溶液涂布于基板和多个像素界定结构的上表面和侧表面,形成聚噻吩衍生物层;通过掩膜板使像素界定结构的上表面的聚噻吩衍生物层曝光转变为疏有机溶剂层,基板上的聚噻吩衍生物层避光,像素界定结构的侧表面的聚噻吩衍生物层受到光衍射转变为亲有机溶剂层,亲有机溶剂层的材质的极性大于乙酸乙酯的极性;通过显影过程,去除基板上的聚噻吩衍生物层,得到像素限定层结构,其中,像素界定结构的上表面为疏有机溶剂层,侧表面为亲有机溶剂层;制得的像素限定层结构可以缓解喷墨打印过程中液滴混淆造成的混色。 | ||
搜索关键词: | 聚噻吩衍生物 基板 界定 像素 像素限定层 侧表面 亲有机 溶剂层 上表面 有机溶剂层 制备 间隔设置 喷墨打印 溶液涂布 显影过程 乙酸乙酯 光衍射 掩膜板 避光 混色 去除 液滴 混淆 配制 曝光 缓解 | ||
【主权项】:
1.一种像素限定层结构的制备方法,其特征在于,包括:提供基板,在所述基板上间隔设置多个像素界定结构;配制聚噻吩衍生物溶液,将所述聚噻吩衍生物溶液涂布于所述基板和多个所述像素界定结构的上表面和侧表面,形成聚噻吩衍生物层;通过掩膜板使所述像素界定结构的上表面的所述聚噻吩衍生物层曝光转变为疏有机溶剂层,所述基板上的所述聚噻吩衍生物层避光,所述像素界定结构的侧表面的所述聚噻吩衍生物层受到光衍射转变为亲有机溶剂层,所述亲有机溶剂层的材质的极性大于乙酸乙酯的极性;通过显影过程,去除所述基板上的所述聚噻吩衍生物层,得到像素限定层结构,其中,所述像素界定结构的上表面为所述疏有机溶剂层,侧表面为所述亲有机溶剂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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