[发明专利]一种P型SE-PERC双面太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种P型SE‑PERC双面太阳能电池及其制备方法，该太阳能电池包括自下而上依次设置的背电极、背面氮化硅膜、背面氧化铝膜、P型硅、N型硅、正面氮化硅膜和正银电极，N型硅的正面在进行扩散之后并且在沉积正面氮化硅膜之前通过激光掺杂形成若干条相互平行的激光槽，激光槽采用间距不等的开槽区设计或者宽度不同的开槽区设计，所述激光槽的数量与正银副栅电极的数量相等，并且一一对应，在刻蚀正面氮化硅膜印刷正银电极时浆料落在激光槽内，形成所述的正银副栅电极，解决正银电极网版在印刷过程中变形造成的正银副栅电极与激光掺杂区对位不准的问题，提高电池批量生产的稳定性。本发明同时公开了该太阳能电池的制备方法。

主权项

1.一种P型SE‑PERC双面太阳能电池，包括自下而上依次设置的背电极、背面氮化硅膜、背面氧化铝膜、P型硅、N型硅、正面氮化硅膜和正银电极，所述的正银电极由材料为银的正银主栅电极和材料为银的正银副栅电极组成，正银副栅电极与正银主栅电极相垂直，所述的背电极由材料为银的背银主栅电极和材料为铝的背铝副栅电极组成，背铝副栅电极和背银主栅电极相垂直，所述太阳能电池在背面还开设有开通所述背面氮化硅膜、背面氧化铝膜后直至P型硅的背面激光开槽区，背面激光开槽区内印刷灌注铝浆料，形成背铝条，背铝副栅电极与背面激光开槽区内的背铝条一体印刷成型，背铝副栅电极通过背铝条与P型硅相连，其特征在于：所述N型硅的正面在进行扩散之后并且在沉积正面氮化硅膜之前通过激光掺杂形成若干条相互平行的激光槽，激光槽采用间距不等的开槽区设计或者宽度不同的开槽区设计，所述激光槽的数量与正银副栅电极的数量相等，并且一一对应，在刻蚀正面氮化硅膜印刷正银电极时浆料落在激光槽内，形成所述的正银副栅电极。