[发明专利]薄膜晶体管结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201810762266.8 | 申请日： | 2018-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN109065631A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 张伟彬 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种薄膜晶体管的制作方法，包含步骤︰提供一柔性基底，在所述柔性基底上形成一有源层；提供一介质层，设置于所述有源层的上方，所述介质层具有多个开口；提供一重掺杂硅层于所述多个开口内，并与所述有源层相连接，所述重掺杂硅层沿所述多个开口的一侧壁向上延伸并覆盖所述介质层的一上表面，所述重掺杂硅层形成至少一源极及至少一漏极；以及提供一金属层于所述多个开口内且于所述至少一源极及所述至少一漏极的上方并与所述至少一源极及所述至少一漏极的相连接。本发明通过有源层与其上的源极及漏极同为半导体材质，以降低源漏极的接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 漏极 源层 源极 重掺杂硅层 开口 介质层 柔性基底 薄膜晶体管结构 半导体材质 薄膜晶体管 接触电阻 向上延伸 金属层 上表面 源漏极 制作 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法包含步骤︰提供一柔性基底，在所述柔性基底上形成一有源层；提供一介质层，设置于所述有源层的上方，所述介质层具有多个开口；提供一重掺杂硅层于所述多个开口内，并与所述有源层相连接，所述重掺杂硅层沿所述多个开口的一侧壁向上延伸并覆盖所述介质层的一上表面，所述重掺杂硅层形成至少一源极及至少一漏极；以及提供一金属层于所述多个开口内且于所述至少一源极及所述至少一漏极的上方并与所述至少一源极及所述至少一漏极的相连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司，未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810762266.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置
- 下一篇：薄膜晶体管及其制造方法、显示装置
- 同类专利
- 专利分类
