[发明专利]半导体器件及制造其的方法在审
| 申请号： | 201810763279.7 | 申请日： | 2018-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN110718550A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 金恩靚;金奉秀;金容宽;韩成熙;黄有商 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242;H01L21/768 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明构思涉及一种半导体器件及制造其的方法。一种半导体器件，其包括：限定在半导体衬底中的有源区域；在半导体衬底上的第一接触插塞，第一接触插塞连接到有源区域；在半导体衬底上的位线，位线与第一接触插塞相邻；在第一接触插塞与位线之间的第一气隙间隔物；在第一接触插塞上的着落垫；在位线上的阻挡绝缘层；以及在第一气隙间隔物上的气隙盖层，气隙盖层垂直地重叠第一气隙间隔物，气隙盖层在阻挡绝缘层与着落垫之间，阻挡绝缘层的上表面在与着落垫的上表面相等或比其高的高度处。 | ||
| 搜索关键词： | 接触插塞 阻挡绝缘层 气隙间隔 着落垫 衬底 盖层 气隙 位线 半导体 半导体器件 上表面 源区域 发明构思 垂直地 在位线 相等 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n限定在半导体衬底中的有源区域；/n在所述半导体衬底上的第一接触插塞，所述第一接触插塞连接到所述有源区域；/n在所述半导体衬底上的位线，所述位线与所述第一接触插塞相邻；/n在所述第一接触插塞与所述位线之间的第一气隙间隔物；/n在所述第一接触插塞上的着落垫；/n在所述位线上的阻挡绝缘层；以及/n在所述第一气隙间隔物上的气隙盖层，所述气隙盖层垂直地重叠所述第一气隙间隔物，所述气隙盖层在所述阻挡绝缘层与所述着落垫之间，/n所述阻挡绝缘层的上表面在与所述着落垫的上表面相等或比其高的高度处。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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