[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201810764562.1 | 申请日： | 2018-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN110718582A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：提供基底，所述基底表面具有相邻的鳍部；分别形成横跨鳍部的伪栅结构，伪栅结构之间具有初始第一隔离结构，所述初始第一隔离结构的两侧分别与伪栅结构相接触；在所述基底顶部、鳍部的侧壁和顶部表面、伪栅结构的侧壁、以及初始第一隔离结构的侧壁形成第一介质层；去除伪栅结构，在第一介质层内形成伪栅开口；形成所述伪栅开口之后，沿鳍部宽度方向上去除部分初始第一隔离结构，形成第一隔离结构；形成所述第一隔离结构之后，在所述伪栅开口内形成栅极结构。所述方法形成的器件性能较好。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离结构 伪栅结构 鳍部 侧壁 伪栅 开口 介质层 基底 去除 半导体结构 顶部表面 基底表面 器件性能 栅极结构 横跨 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底，所述基底表面具有相邻的鳍部；/n分别形成横跨鳍部的伪栅结构，所述伪栅结构之间具有初始第一隔离结构，所述初始第一隔离结构的两侧分别与伪栅结构相接触；/n在所述基底顶部、鳍部的侧壁和顶部表面、伪栅结构的侧壁、以及初始第一隔离结构的侧壁形成第一介质层；/n去除所述伪栅结构，在所述第一介质层内形成伪栅开口；/n形成所述伪栅开口之后，沿鳍部宽度方向上去除部分初始第一隔离结构，形成第一隔离结构；/n形成所述第一隔离结构之后，在所述伪栅开口内形成栅极结构。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810764562.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种OLED显示模组以及制备方法
- 下一篇：功率器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
