[发明专利]形成半导体结构的方法及封装件有效
| 申请号： | 201810765974.7 | 申请日： | 2018-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN109817587B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 王博汉;胡毓祥;郭宏瑞;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/98 | 分类号： | H01L21/98;H01L25/065;H01L25/18;H01L23/31;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种形成半导体结构的方法包括将封装组件密封在密封材料中，其中，密封材料包括直接位于封装组件上方的一部分。图案化密封材料的该部分以形成露出封装组件中的导电部件的开口。再分布线延伸到开口中以接触导电部件。电连接件形成在导电部件上方并电连接至导电部件。本发明实施例还提供另一种形成半导体结构的方法和一种封装件。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体 结构 方法 封装 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体结构的方法，包括：将封装组件密封在密封材料中，其中，所述密封材料包括位于所述封装组件正上方的第一部分；图案化所述密封材料的所述第一部分以形成露出位于所述封装组件中的导电部件的开口；形成延伸到所述开口中以接触所述导电部件的再分布线；以及在所述导电部件上方形成电连接件并电连接至所述导电部件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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