[发明专利]半导体开关装置和方法在审
| 申请号： | 201810766663.2 | 申请日： | 2018-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN109256426A | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 马哈茂德·谢哈布·穆罕默德·阿尔沙蒂;彼得鲁斯·许贝特斯·科内利斯·马涅;伊戈尔·布鲁内斯;让·威廉·斯伦特伯;托尼·范胡克 | 申请（专利权）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王洵 |
| 地址： | 荷兰埃*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体开关装置以及一种制备所述半导体开关装置的方法。所述装置包括具有主表面的半导体基板。所述装置还包括定位在所述主表面下方的所述基板中的第一半导体区。所述装置包括定位在所述主表面上的细长栅极。所述装置还包括定位在邻近所述栅极的相应第一和第二细长边缘的所述第一半导体区中的源极区和漏极区。所述装置还包括用于所述源极和漏极区的电接触。所述接触包括定位在所述源极区或漏极区上的至少两个接触，所述至少两个接触沿基本上平行所述栅极的所述细长边缘的方向间隔开。所述装置另外包括定位在所述至少两个接触之间的隔离区。所述隔离区从所述主表面延伸通过所述源极/漏极区到所述第一半导体区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体开关装置 半导体区 漏极区 主表面 隔离区 源极区 源极/漏极区 半导体基板 主表面延伸 方向间隔 电接触 基板 源极 制备 平行 邻近 | ||
【主权项】：
1.一种半导体开关装置，其特征在于，包括：具有主表面的半导体基板；定位在所述主表面下方的所述基板中的第一半导体区，所述第一半导体区具有第一导电类型；定位在所述主表面上的细长栅极；具有第二导电类型的源极区，其中所述源极区定位在邻近所述栅极的第一细长边缘的所述第一半导体区中；具有所述第二导电类型的漏极区，其中所述漏极区定位在邻近所述栅极的第二细长边缘的第一半导体区中；用于形成与所述源极区和所述漏极区的电连接的电接触，其中所述电接触包括定位在所述源极区或所述漏极区上的至少两个接触，其中所述至少两个接触沿基本上平行所述栅极的所述细长边缘的方向间隔开，和当从所述基板的所述主表面上方观察时定位在所述至少两个接触之间的隔离区，其中所述隔离区从所述主表面延伸通过源极/漏极区到所述第一半导体区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩智浦有限公司，未经恩智浦有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810766663.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
