[发明专利]图案化多层结构的方法在审
| 申请号： | 201810768676.3 | 申请日： | 2018-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN109256480A | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 金东铉;金义秀;李铉海;李俊英;尹健尚 | 申请（专利权）人： | 康宁精密材料有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;吴启超 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种图案化多层结构的方法，以及一种制造OLED装置的光提取基底的方法。在基底的第一表面上形成其中具有多个空隙的第一层或散射层。在所述第一层或所述散射层上形成第二层或平面化层，使得所述第一层或所述散射层的第一区域的表面暴露，其中所述第二层或所述平面化层的材料的一部分渗透到所述多个空隙中以附接到所述基底的所述第一表面的至少一部分。移除所述第一层或所述散射层的所述第一区域。 | ||
| 搜索关键词： | 第一层 散射层 基底 第一表面 第一区域 多层结构 平面化层 图案化 表面暴露 光提取 移除 制造 | ||
【主权项】：
1.一种图案化多层结构的方法，其包括：在基底的第一表面上由第一层材料形成第一层，使得所述第一层中形成多个空隙；在所述第一层上由第二层材料形成第二层，使得所述第一层的第一区域的表面暴露，其中一部分所述第二层材料渗透到所述第一层的所述多个空隙中以附接到所述基底的所述第一表面的至少一部分；以及移除所述第一层的所述第一区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于康宁精密材料有限责任公司，未经康宁精密材料有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810768676.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
