[发明专利]阵列基板中双层金属层的制造方法以及阵列基板有效
| 申请号： | 201810769180.8 | 申请日： | 2018-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN108962827B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 宫奎;徐德智;王一军;段献学;张志海 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;王卫忠 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种阵列基板中双层金属层的制造方法及阵列基板，该方法包括：在阵列基板上形成第一金属层图案；在所述第一金属层图案上形成绝缘层，并在所述绝缘层上形成过孔；在所述阵列基板上形成双层金属层，所述双层金属层包括下层金属层和上层金属层，所述下层金属层通过所述过孔与所述第一金属层图案接触；在所述阵列基板上形成光刻胶，形成所需的下层金属层和上层金属层的图案，并通过灰化工艺使得通过所述过孔暴露出的上层金属层氧化变成氧化物；通过使所述氧化物与光刻胶剥离液反应，去除所述氧化物以及所述光刻胶，以暴露出所述过孔中的下层金属层。采用本申请的方案，可以克服由于金属氧化导致的搭接不良进而影响TFT工艺良率的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 基板中 双层 金属 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板中双层金属层的制造方法，包括：在阵列基板上形成第一金属层图案；在所述第一金属层图案上形成绝缘层，并在所述绝缘层上形成过孔；在所述阵列基板上形成双层金属层，所述双层金属层包括下层金属层和上层金属层，所述下层金属层通过所述过孔与所述第一金属层图案接触；在所述阵列基板上形成光刻胶，形成所需的下层金属层和上层金属层的图案，并通过灰化工艺使得通过所述过孔暴露出的上层金属层氧化变成氧化物；通过使所述氧化物与光刻胶剥离液反应，去除所述氧化物以及所述光刻胶，以暴露出所述过孔中的下层金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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