[发明专利]一种共源共栅级联结构的氮化镓器件

摘要

本发明公开了一种封装基板及基于该基板形成的共源共栅氮化镓器件，该封装基板包括基板本体，基板本体的一个端面印制器件线路铜层，另一个端面印制热排气铜层，器件线路铜层包括第一铜层面和第二铜层面，第一铜层面和第二铜层面之间电气隔离；热排气铜层上设置有若干条延伸到基板边界的间隙。本发明优化了封装基板的结构和器件线路铜层的相对位置，改变封装基板器件线路铜层和硅器件及GaN器件的连线关系，不仅实现了共源共栅氮化镓器件的同侧Gate、Drain、Source顺序的管脚排布，同时，也把其中起主要的作用的共源寄生电感优化到了最小值。

主权项

1.一种封装基板，其特在于，包括基板本体(1)，基板本体(1)的一个端面印制器件线路铜层，另一个端面印制热排气铜层(4)，所述器件线路铜层包括第一铜层面(2)和第二铜层面(3)，所述第一铜层面(2)和第二铜层(3)面之间电气隔离；所述热排气铜层(4)上设置有若干条延伸到基板边界的间隙。