[发明专利]利用预稳定等离子体的工艺的溅镀方法在审

专利信息
申请号: 201810771113.X 申请日: 2012-06-01
公开(公告)号: CN108914076A 公开(公告)日: 2018-11-30
发明(设计)人: J·D·布施 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/56;H01J37/34
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 侯颖媖;金红莲
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及利用预稳定等离子体的工艺的溅镀方法,具体描述一种沉积材料的层于基板上的方法。此方法包括当基板未暴露于等离子体时,点燃用于材料沉积的溅镀靶材的等离子体;维持等离子体至少直到基板暴露于等离子体来沉积材料于基板上;以及沉积材料于基板上,其中基板为了静态沉积工艺而定位。
搜索关键词: 等离子体 基板 沉积材料 稳定等离子体 溅镀 材料沉积 基板暴露 溅镀靶材 静态沉积 基板未 点燃 暴露
【主权项】:
1.一种沉积材料的层于基板上的方法,所述方法包括:在第一磁性组合件位置点燃用于材料沉积的溅镀靶材的等离子体,使得所述基板未暴露于所述等离子体;以及在维持所述等离子体时,移动所述磁性组合件于第二磁性组合件位置中,其中所述第二磁性组合件位置致使所述材料沉积于所述基板上。
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