[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201810775945.9 | 申请日： | 2015-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN108962911B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 尹太焕;朴镇泽 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H10B43/50;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体器件。一种半导体器件包括：栅电极，沿垂直方向堆叠在衬底上；垂直沟道结构，穿透栅电极以电连接到衬底；导电衬垫，从相应的栅电极水平地延伸；以及接触插塞，电连接到导电衬垫中的相应导电衬垫；其中导电衬垫中的每个包括延伸区和在接触插塞中的相应接触插塞下面的接触区，其中栅电极包括第一栅电极和第二栅电极，第一栅电极位于第一垂直高度，且第二栅电极位于与第一垂直高度不同的第二垂直高度，自第一栅电极延伸的第一导电衬垫具有其厚度等于第一导电衬垫的第一延伸区的厚度的第一接触区，以及自第二栅电极延伸的第二导电衬垫具有其厚度大于第二导电衬垫的第二延伸区的厚度的第二接触区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：栅电极，沿着垂直方向堆叠在衬底上；垂直沟道结构，穿透所述栅电极以电连接到所述衬底；导电衬垫，从相应的栅电极水平地延伸；以及接触插塞，电连接到所述导电衬垫中的相应导电衬垫；其中所述导电衬垫中的每个包括延伸区和在所述接触插塞中的相应接触插塞下面的接触区，其中所述栅电极包括第一栅电极和第二栅电极，所述第一栅电极位于第一垂直高度，且所述第二栅电极位于与所述第一垂直高度不同的第二垂直高度，自所述第一栅电极延伸的第一导电衬垫具有其厚度等于所述第一导电衬垫的第一延伸区的厚度的第一接触区，以及自所述第二栅电极延伸的第二导电衬垫具有其厚度大于所述第二导电衬垫的第二延伸区的厚度的第二接触区。
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