[发明专利]一种高度取向沸石膜的制备方法有效
| 申请号： | 201810782309.9 | 申请日： | 2018-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN108579465B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 吴苏州 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶特智造科技有限公司 |
| 主分类号： | B01D71/02 | 分类号： | B01D71/02;B01D67/00;B01D69/02;B01D53/22 |
| 代理公司： | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525 | 代理人： | 李明香 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高度取向沸石膜的制备方法，所述方法包括：对载体表面进行预处理，然后依次引入修饰层和晶种层，之后在含有模板剂的晶化合成液中进行水热处理以在所述载体表面形成b取向沸石膜，最后高温焙烧去除模板剂和修饰层，并得到覆盖在所述载体表面的高度b取向的沸石膜。所述沸石膜具有良好的气体渗透性和气体选择性，气体分离性能优越。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高度 取向 沸石膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高度取向沸石膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1.前处理：对载体表面进行打磨处理，然后对所述载体进行高温焙烧；S2.引入修饰层：配制树脂溶液，将前处理后的载体浸渍到所述树脂溶液中，取出干燥，获得具有修饰层的载体；S3.引入晶种层：配制晶种液，利用电泳的方法在具有修饰层的载体上引入b取向晶种层；S4.水热合成沸石膜：配制晶化合成液，所述晶化合成液至少包括硅源、模板剂和去离子水，所述晶化合成液中水与二氧化硅的摩尔比大于300，将所述晶化合成液与所述引入晶种层的载体置于反应釜中并进行微波处理；S5.高温焙烧以脱出模板剂并去除修饰层。
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