[发明专利]图形优化方法及掩膜版制造方法有效
申请号: | 201810784635.3 | 申请日: | 2018-07-17 |
公开(公告)号: | CN110727172B | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 倪昶 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | G03F1/76 | 分类号: | G03F1/76;G03F7/20 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明揭示了一种图形优化方法,所述图形优化方法包括:提供待优化图形,所述待优化图形包括第一图形和第二图形,所述待优化图形具有热区域;对所述第一图形和所述第二图形进行选择性尺寸调整;依据所述热区域对所述选择性尺寸调整进行反馈操作;以及依据所述反馈操作获得优化后的图形。于是,在进行选择性尺寸调整后,进一步对该选择性尺寸调整进行反馈操作,使得选择性尺寸调整对实际图形的影响更合理,有助于提高具有热区域的图形的精度。由此进行的掩膜版制造,可以提高掩膜版的质量。 | ||
搜索关键词: | 图形 优化 方法 掩膜版 制造 | ||
【主权项】:
1.一种图形优化方法,其特征在于,包括:/n提供待优化图形,所述待优化图形包括第一图形和第二图形,所述第一图形和第二图形中皆具有关键图形,所述第二图形的关键图形对应位于第一图形的关键图形之间;/n对所述第一图形和所述第二图形进行选择性尺寸调整;以及/n依据所述关键图形继续调整所述第一图形和所述第二图形,以提高曝光后所述第一图形和所述第二图形的图形精度。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810784635.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:制造遮罩的方法
- 下一篇:光罩清洗系统及其方法
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备