[发明专利]NAND存储器及其形成方法

摘要

本发明提供了一种NAND存储器及其形成方法，基底包括多个交替排布的第一有源区和隔离区，以及连接第一有源区的第二有源区，在基底上形成与第一有源区相交的多条源极选择线、漏极选择线以及字线，字线位于源极选择线和漏极选择线之间，且第二有源区位于相邻的源极选择线之间，然后在相邻的源极选择线之间的第二有源区上形成多个共源极接触，在相邻的漏极选择线之间的每个第一有源区上形成漏极接触，与现有技术中呈条状的共源极接触相比，本发明中共源极接触与漏极接触的面积不会相差太大，从而避免刻蚀形成接触孔的过程中造成刻蚀负载效应，保证共源极接触与漏极接触的尺寸精度，提高NAND存储器的性能。

主权项

1.一种NAND存储器的形成方法，其特征在于，包括：/n提供一基底，所述基底包括多个交替排布的第一有源区和隔离区，以及连接所述第一有源区的第二有源区；/n在所述基底上形成与所述第一有源区相交的多条源极选择线、漏极选择线以及字线，所述字线位于所述源极选择线和漏极选择线之间，且所述第二有源区位于相邻的源极选择线之间；/n在相邻的所述源极选择线之间的第二有源区上形成多个共源极接触，在相邻的所述漏极选择线之间的每个第一有源区上形成漏极接触。/n