[发明专利]用于估计NAND快闪存储器的位错误率的快闪存储器系统和方法有效
| 申请号： | 201810789084.X | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN110211624B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 艾维·史戴那;哈能·温加顿 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/12 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施例涉及一种快闪存储器系统和一种用于估计NAND快闪存储器的位错误率的方法。根据某些方面，实施例提供在所述快闪存储器的编程期间估计多位快闪存储器的BER，且在所述快闪存储器的可读状态寄存器中提供所述所估计BER，从而改进所述快闪存储器的编程速度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 估计 nand 闪存 错误率 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于估计NAND快闪存储器的位错误率的方法，其包括：对具有多个阈值电压的多层单元快闪存储器执行编程操作；对于每一阈值电压：编程紧接大于所述阈值电压的状态，定义至少一个检验阈值，确定具有小于所述至少一个检验阈值的电压的第一单元数目，以及基于所述第一单元数目和第一位错误率BER阈值，确定所估计的欠编程BER；以及基于所述多个阈值电压的每一阈值电压的所述所估计欠编程BER，确定总的欠编程BER。
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