[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成若干分立的核心层；在核心层侧壁上形成牺牲侧墙，位于核心层一侧的牺牲侧墙为第一牺牲侧墙，位于核心层另一侧的牺牲侧墙为第二牺牲侧墙，第一牺牲侧墙和第二牺牲侧墙间隔设置；在第一牺牲侧墙侧壁上形成第一掩膜侧墙；去除核心层，在牺牲侧墙内形成开口；在开口露出的第二牺牲侧墙的侧壁上形成第二掩膜侧墙；去除牺牲侧墙；以第一掩膜侧墙和第二掩膜侧墙为掩膜刻蚀基底，形成目标图形。本发明降低了光刻工艺的工艺难度、提高了工艺可操作性，而且还有利于保证目标图形的形貌和尺寸能够满足工艺需求，从而使得器件性能以及性能均一性得到改善。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底；/n在所述基底上形成若干分立的核心层；/n在所述核心层的侧壁上形成牺牲侧墙，位于所述核心层一侧的牺牲侧墙为第一牺牲侧墙，位于所述核心层另一侧的牺牲侧墙为第二牺牲侧墙，所述第一牺牲侧墙和第二牺牲侧墙间隔设置；/n在所述第一牺牲侧墙的侧壁上形成第一掩膜侧墙；/n形成所述第一掩膜侧墙后，去除所述核心层，在所述牺牲侧墙内形成露出所述基底的开口；/n在所述开口露出的第二牺牲侧墙的侧壁上形成第二掩膜侧墙；/n形成所述第二掩膜侧墙后，去除所述牺牲侧墙；/n去除所述牺牲侧墙后，以所述第一掩膜侧墙和第二掩膜侧墙为掩膜刻蚀所述基底，形成目标图形。/n