[发明专利]一种带有过流保护的过温保护电路

摘要

本发明公开了一种带有过流保护的过温保护电路，包括:电源VCC、第一PMOS管MP1，第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2，第一双极型晶体管Q1、第二双极型晶体管Q2、第三双极型晶体管Q3、第四双极型晶体管Q4、第五双极型晶体管Q5、第六双极型晶体管Q6、第七双极型晶体管Q7，第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6，第一反相器INV1、第二反相器INV2。本发明过温检测电路的输出为温度变化的检测信号；温度升高过程中，当温度超过过温阈值TH时，检测信号输出从高电平变为低电平，保护电路启动，产生过温保护信号，温度下降过程中，当温度低于恢复阈值TL时，检测信号输出从低电平变为高电平，关闭保护电路，芯片恢复正常工作。

主权项

1.一种带有过流保护的过温保护电路，包括:电源VCC、第一PMOS管MP1，第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2，第一双极型晶体管Q1、第二双极型晶体管Q2、第三双极型晶体管Q3、第四双极型晶体管Q4、第五双极型晶体管Q5、第六双极型晶体管Q6、第七双极型晶体管Q7，第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6，第一反相器INV1、第二反相器INV2；第一PMOS管MP1的漏端和第一电阻R1一端相连；第一PMOS管MP1栅极和第一NMOS管MN1的栅极记为MP1‑g；第一PMOS管MP1源端和衬底接电源VCC；第一NMOS管MN1漏端、第一双极型晶体管Q1基极、第三双极型晶体管Q3发射极和第四双极型晶体管Q4基极相连，交点为A；第一NMOS管MN1源端及衬底接地；第二NMOS管MN2的源端、第六双极型晶体管Q6集电极、第五电阻R5一端和第一反相器INV1输入端相连，记为C1；第二NMOS管MN2漏端、第二NMOS管MN2栅极、第四双极型晶体管Q4集电极、第七双极型晶体管Q7基极和第四电阻R4一端相连，记为MN2‑g；第二NMOS管MN2的衬底接地；第一双极型晶体管Q1集电极、第一电阻R1另一端和第三双极型晶体管Q3基极相连；第一双极型晶体管Q1发射极、第二双极型晶体管Q2集电极和第五双极型晶体管Q5基极相连；第二双极型晶体管Q2基极、第四双极型晶体管Q4发射极和第五双极型晶体管Q5集电极相连；第二双极型晶体管Q2发射极接地；第三双极型晶体管Q3集电极与第二电阻R2一端相连；第五双极型晶体管Q5发射极与第三电阻R3一端相连；第六双极型晶体管Q6基极、第六电阻R6一端、第七双极型晶体管Q7集电极相连；第六双极型晶体管Q6发射极接地；第七双极型晶体管Q7发射极接电源VCC，第二电阻R2另一端接电源VCC，第四电阻R4另一端接电源VCC，第五电阻R5另一端接电源VCC，第三电阻R3另一端接地，第六电阻R6另一端接地；第一反相器INV1输出端与第二反相器INV2输入端相连，第二反相器INV2输出端记为Vout。