[发明专利]垂直存储器件

摘要

一种垂直存储器件包括：衬底，其具有单元阵列区域和与单元阵列区域相邻的连接区域；多个栅电极层，所述多个栅电极层堆叠在衬底的单元阵列区域和连接区域上，并在连接区域中形成台阶结构；第一金属线，其划分所述多个栅电极层并连接到衬底的单元阵列区域和连接区域；以及第二金属线，其划分所述多个栅电极层的一部分并连接到衬底的连接区域。基于衬底的上表面，第二金属线的下端部分的深度可以大于单元阵列区域中的第一金属线的下端部分的深度。

主权项

1.一种垂直存储器件，包括：衬底，其具有单元阵列区域和与所述单元阵列区域相邻的连接区域；多个栅电极层，所述多个栅电极层堆叠在所述衬底的所述单元阵列区域和所述连接区域上，所述多个栅电极层在所述连接区域中形成台阶结构；至少一个第一金属线，所述至少一个第一金属线划分所述多个栅电极层并且连接到所述衬底的所述单元阵列区域和所述连接区域；以及至少一个第二金属线，所述至少一个第二金属线划分所述多个栅电极层的一部分并且连接到所述衬底的所述连接区域；其中，基于所述衬底的上表面，所述至少一个第二金属线的下端部分的深度大于所述单元阵列区域中的所述至少一个第一金属线的下端部分的深度。