[发明专利]并行存取交叉点阵列中的存储器单元

摘要

本申请涉及并行存取交叉点阵列中的存储器单元。用于并行存取交叉点阵列中的存储器单元的方法及结构包含并行存取安置在第一选定列与第一选定行之间的第一存储器单元及安置在不同于所述第一选定列的第二选定列与不同于所述第一选定行的第二选定行之间的第二存储器单元。并行存取包含同时施加存取偏压于所述第一选定列与所述第一选定行之间及所述第二选定列与所述第二选定行之间。在所述单元处于定阈值状态或所述单元处于阈值后恢复周期中时进行所述并行存取。

主权项

1.一种并行存取存储器单元的方法，其包括：选择交叉点存储器阵列的第一列和第一行中的第一存储器单元；选择所述交叉点存储器阵列的第二列和第二行中的第二存储器单元；在第一阈值时段期间向所述第一存储器单元施加第一阈值偏压；在与所述第一阈值时段重叠的第二阈值时段期间向所述第二存储器单元施加第二阈值偏压；在所述第一阈值时段期间存取所述第一存储器单元，并在所述第二阈值时段期间存取所述第二存储器单元；以及在所述第一阈值时段之前将所述第一存储器单元的所述第一列和所述第二存储器单元的所述第二列预充电到第一禁止电压。