[发明专利]一种Nano CT成像质量检测用的分辨率测试卡及其制备方法有效
| 申请号： | 201810801700.9 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN109060850B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 马玉田;刘俊标;韩立 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | G01N23/046 | 分类号： | G01N23/046 |
| 代理公司： | 北京永创新实专利事务所 11121 | 代理人： | 姜荣丽 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Nano CT成像质量检测用的分辨率测试卡制备方法，属于纳米材料和CT成像技术领域。包括步骤：对基体进行预处理，获取预处理后的基体；将所述预处理后的基体放置在氦离子显微镜内部的样品台上，利用所述氦离子显微镜内的镓离子源所产生的镓离子束流对所述预处理后的基体进行刻蚀，获取刻蚀条纹；对所述的刻蚀条纹进行宽度标定，获取本发明所述的分辨率测试卡。本发明还提供一种利用上述方法制备所得Nano CT成像质量检测用的分辨率测试卡。利用本发明所述制备方法具有易控制、工艺简单、周期短、效率高和成本低的优点，且所制备的Nano‑CT成像质量检测用的分辨率测试卡条纹宽度均匀、深度比大。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nano ct 成像 质量 检测 分辨率 测试 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Nano CT成像质量检测用的分辨率测试卡制备方法，其特征在于，具体包括如下步骤：步骤一、对基体进行预处理，获取预处理后的基体；步骤二、将所述预处理后的基体放置在氦离子显微镜的样品台上，利用所述氦离子显微镜内的镓离子源所产生的镓离子束流在所述预处理后的基体上进行刻蚀，获取刻蚀条纹；步骤三、对所述的刻蚀条纹进行宽度标定，获取分辨率测试卡。
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