[发明专利]一种湿法刻蚀机有效
| 申请号： | 201810802738.8 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN109087871B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 刘俊领 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种湿法刻蚀机，包括：刻蚀腔，所述刻蚀腔内设置有多个滚轮，所述滚轮用于承载待刻蚀的基板且通过转动带动所述基板移动；第一喷淋装置，与所述滚轮相对设置，用于向所述基板表面喷淋刻蚀液，使所述基板表面的薄膜层形成预设图案；第二喷淋装置，设置于所述刻蚀腔的刻蚀出口处，用于向所述刻蚀出口喷淋清洗液以溶解所述刻蚀出口处附着的所述刻蚀液；挡板，设置于所述第一喷淋装置与所述第二喷淋装置之间，用于遮挡喷向所述第一喷淋装置一侧的所述清洗液；所述第二喷淋装置分别位于所述刻蚀腔内部与外部，用于从所述刻蚀腔内外两侧共同向所述刻蚀出口处喷淋所述清洗液。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 湿法 刻蚀 | ||
【主权项】：
1.一种湿法刻蚀机，其特征在于，包括：刻蚀腔，所述刻蚀腔内设置有多个滚轮，所述滚轮用于承载待刻蚀的基板且通过转动带动所述基板移动；第一喷淋装置，与所述滚轮相对的设置于所述刻蚀腔内，用于向所述基板表面喷淋刻蚀液，使所述基板表面的薄膜层形成预设图案；第二喷淋装置，设置于所述刻蚀腔的刻蚀出口处，用于向所述刻蚀出口喷淋清洗液以溶解所述刻蚀出口处附着的所述刻蚀液；挡板，设置于所述第一喷淋装置与所述第二喷淋装置之间，且靠近所述刻蚀出口的位置，用于遮挡所述清洗液防止喷淋至所述第一喷淋装置一侧的所述刻蚀液中；其中，所述第二喷淋装置分别位于所述刻蚀腔内部与所述刻蚀腔外部，用于从所述刻蚀腔内外两侧共同向所述刻蚀出口处喷淋所述清洗液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
