[发明专利]基于X波段氮化镓预失真集成电路及制作方法有效
| 申请号： | 201810811387.7 | 申请日： | 2018-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN110752162B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 马晓华;杨凌;芦浩;周小伟;祝杰杰;侯斌;宓珉翰;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L25/18 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 闫家伟 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于X波段氮化镓预失真集成电路的制作方法，该制作方法包括：制作AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，测试得到AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的输入阻抗；制作肖特基二极管，使得肖特基二极管的输出阻抗与输入阻抗共轭匹配；键合AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管与肖特基二极管，得到预失真集成电路。本发明实施例的预失真集成电路不仅在低频和窄带信号中能够有效开展，而且在高频和宽带环境下也可以有效输出功率；同时，预失真集成电路可以改善功率放大器的非线性失真，满足通信信号电磁环境模拟器对谐波和互调分量的指标要求。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 波段 氮化 失真 集成电路 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于X波段氮化镓的预失真集成电路的制作方法，其特征在于，包括步骤：/nS1、制作AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，测试得到所述AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的输入阻抗；/nS2、制作肖特基二极管，使得所述肖特基二极管的输出阻抗与所述输入阻抗共轭匹配；/nS3、键合所述AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管与所述肖特基二极管，得到预失真集成电路。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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