[发明专利]一种超低功耗偏置的射频开关

摘要

本发明提出了一种新的射频开关结构：每个射频开关包括一串联支路和一并联支路，通过不同射频开关的串联支路共用一个交流耦合电容、同一射频开关里的并联支路和串联支路共用一个交流耦合电容、移除同一射频开关的并联支路中靠近地的隔断晶体管和交流耦合电容，无需任何负压产生电路，并且相对于传统结构可以节省60％以上的电容面积。本发明在保持性能不变的同时，大大降低了芯片的面积和成本。

主权项

1.一种超低功耗偏置的射频开关，其特征在于：所述射频开关包括两个主晶体管单元A0‑A1，三个附加晶体管单元M1‑M3；每个主晶体管单元由n个晶体管依次层叠而成，每个附加晶体管单元由m个晶体管依次层叠而成，n、m均为正整数，且n＞m；第一开关支路由附加晶体管单元M1、主晶体管单元A0、附加晶体管单元M2依次串联而成，附加晶体管单元M1的输入端作为信号输入端，附加晶体管单元M2的输出端作为信号输出端，各晶体管的栅极接收第一控制信号VG1，通过晶体管在导通与截止之间转变实现第一开关支路的通断控制；第二开关支路由附加晶体管单元M3和主晶体管单元A1依次串联而成，附加晶体管单元M3的输入端连接到信号输入端，主晶体管单元的输出端接地，各晶体管的栅极接收第二控制信号VG2，通过晶体管在导通与截止之间转变实现第二开关支路的通断控制；其中，附加晶体管单元M1与主晶体管单元A0的连接节点经由一耦合电容连接到附加晶体管单元M3与主晶体管单元A1的连接节点。