[发明专利]一种含导电保护薄膜的锂负极及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201810813974.X | 申请日： | 2018-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN108987673B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 唐琼;李合琴;潘媛媛;林志伟;张静;陈勇 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | H01M4/134 | 分类号： | H01M4/134;H01M4/1395;H01M4/04;H01M10/052;C23C14/16;C23C14/35 |
| 代理公司： | 合肥云道尔知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 34230 | 代理人： | 陈兰 |
| 地址： | 230000 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种含导电保护薄膜的锂负极的制备方法及应用。在锂片表面附着有真空溅射Cu膜。具体制备方法如下：在氩气手套箱内，先将锂片用导电双面胶贴在待溅射的托盘上，连同托盘一起放入密封盒内，再将密封盒内托盘转移到磁控溅射镀膜仪内，进行真空直流溅射Cu，溅射时间为240‑360秒。本发明制备的导电Cu膜具有层状和导状的复合形貌，既可避免锂片与电解液直接接触，又可分散电流，减小电流密度，抑制锂枝晶生长，促进电化学反应动力学。应用于锂硫电池表现出良好的循环稳定性和容量维持率。本发明制备过程简单可控，具有实际应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导电 保护 薄膜 负极 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种含导电保护薄膜的锂负极，其特征在于：以铜为靶材，使用磁控溅射技术在锂片表面附着真空镀Cu薄膜，所述的真空镀Cu薄膜具有岛状和层状的复合形貌。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥工业大学，未经合肥工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810813974.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
