[发明专利]半导体器件以及形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201810818358.3 | 申请日： | 2018-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN110707064B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 鹿内洋志;鹫谷哲;田中雄季;韦宁 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L25/07 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。该半导体器件包括：单极性部件，该单极性部件至少包括第一外延层和第一基板；以及旁路部件，该旁路部件至少包括第二外延层和第二基板，且该单极性部件和该旁路部件并联；其中，该单极性部件的厚度与该旁路部件的厚度之差小于或等于预定值。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n单极性部件，所述单极性部件至少包括第一外延层和第一基板；以及/n旁路部件，所述旁路部件至少包括第二外延层和第二基板，且所述单极性部件和所述旁路部件并联；/n其中，所述单极性部件的厚度与所述旁路部件的厚度之差小于或等于预定值。/n
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