[发明专利]确定阵列基板栅极驱动电路中的晶体管的关系参数的方法有效
申请号: | 201810821053.8 | 申请日: | 2018-07-24 |
公开(公告)号: | CN108831397B | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 宋乔乔 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰;武岑飞 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种确定阵列基板栅极驱动电路中的晶体管的关系参数的方法。所述方法包括:确定针对第一晶体管的多个第一沟道宽长比和针对第二晶体管的预定沟道宽长比;通过从多个第一沟道宽长比中逐一选择每个第一沟道宽长比,将具有选择的第一沟道宽长比的第一晶体管的源极和第二晶体管的栅极连接到控制信号点并将预定电压信号施加到第一晶体管和第二晶体管,获得控制信号点的与多个第一沟道宽长比分别对应的多个电压波形;从多个电压波形中确定电压最优波形;通过与电压最优波形对应的第一沟道宽长比,确定第一晶体管和第二晶体管之间的关系参数。根据所述方法,可以显著提高晶体管性能的稳定性,节省版图空间,有利于面板的窄边框的设计。 | ||
搜索关键词: | 确定 阵列 栅极 驱动 电路 中的 晶体管 关系 参数 方法 | ||
【主权项】:
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