[发明专利]一种像素结构及其制作方法、阵列基板及TN型显示面板在审

专利信息
申请号: 201810821202.0 申请日: 2018-07-24
公开(公告)号: CN108922896A 公开(公告)日: 2018-11-30
发明(设计)人: 陈志杰;李林;林建伟;庄崇营 申请(专利权)人: 信利半导体有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/84
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 邓义华;廖苑滨
地址: 516600 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种像素结构及其制作方法、阵列基板及TN型显示面板,该像素结构包括:基板;栅极层和公共电极层,形成于所述基板上;第一绝缘层,形成于所述栅极层、基板和公共电极层上;有源层,形成于所述第一绝缘层上且对应栅极层设置;源极层和漏极层,形成于所述有源层上;第二绝缘层,形成于所述源极层、漏极层、第一绝缘层上;透明电极层,形成于所述第一绝缘层上且与所述公共电极层电性连接;第三绝缘层,形成于所述第二绝缘层和透明电极层上;透明像素电极层,形成于所述第三绝缘层上并与所述漏极层电性连接,且与所述透明电极层位置重叠形成存储电容。本发明可以在保证像素结构开孔率的前提下有效增大存储电容。
搜索关键词: 绝缘层 像素结构 公共电极层 透明电极层 漏极层 栅极层 基板 存储电容 电性连接 显示面板 阵列基板 源极层 源层 透明像素电极层 位置重叠 开孔率 制作 保证
【主权项】:
1.一种像素结构,应用于TN型显示面板中,其特征在于,包括:基板;栅极层和公共电极层,形成于所述基板上;第一绝缘层,形成于所述栅极层、基板和公共电极层上;有源层,形成于所述第一绝缘层上且对应栅极层设置;源极层和漏极层,形成于所述有源层上;第二绝缘层,形成于所述源极层、漏极层、第一绝缘层上;透明电极层,形成于所述第二绝缘层上且与所述公共电极层电性连接;第三绝缘层,形成于所述第二绝缘层和透明电极层上;透明像素电极层,形成于所述第三绝缘层上并与所述漏极层电性连接,且与所述透明电极层位置重叠形成存储电容。
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