[发明专利]一种用于脱除展青霉素的纳米材料的合成与应用有效
| 申请号： | 201810823902.3 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN109180884B | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 孙秀兰;纪剑;皮付伟;张银志;郭巍;单雪晴 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | C08F292/00 | 分类号： | C08F292/00;C08F220/56;C08F222/14;C08J9/26;B01J20/30;B82Y30/00;B82Y40/00;H01F1/42 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 张勇 |
| 地址： | 214000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明属于分析化学技术领域，尤其涉及一种用于脱除展青霉素的纳米材料的合成与应用，本发明采用2‑Oxin为替代模板，AM为功能单体，以合成的Fe |
||
| 搜索关键词： | 一种 用于 脱除 青霉素 纳米 材料 合成 应用 | ||
【主权项】：
1.一种用于脱除展青霉素的纳米材料的合成方法，其特征在于：采用2‑吲哚酮为替代模板，丙烯酰胺为功能单体，以Fe3O4@SiO2@CS‑GO磁性纳米粒子为载体，通过表面印迹法制备磁性分子印迹纳米材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江南大学，未经江南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810823902.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
