[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201810824927.5 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109273430B | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 深沢正永 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈睆;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，该装置包括：基板，其具有第一导电层和比第一导电层设置为更深的第二导电层；大直径凹部，其在基板的主面侧具有尺寸与所述第一导电层和所述第二导电层重叠的开口，所述第一导电层在所述大直径凹部的底部的至少一部分中露出，其中所述大直径凹部的底部与所述第一导电层的上部共面；小直径凹部，其从所述大直径凹部延伸，所述第二导电层在所述小直径凹部的底部露出；导电部件，其设置于由所述大直径凹部和所述小直径凹部构成的连接孔中以将所述第一导电层和所述第二导电层连接；以及层间绝缘膜，其暴露于所述导电部件、所述大直径凹部的底部和所述小直径凹部的顶部。本发明可实现半导体装置的产率提高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其包括：基板，其具有第一导电层和比所述第一导电层设置为更深的第二导电层；大直径凹部，其在所述基板的主面侧具有尺寸与所述第一导电层和所述第二导电层重叠的开口，所述第一导电层在所述大直径凹部的底部的至少一部分中露出，其中所述大直径凹部的底部与所述第一导电层的上部共面；小直径凹部，其从所述大直径凹部延伸，所述第二导电层在所述小直径凹部的底部露出；导电部件，其设置于由所述大直径凹部和所述小直径凹部构成的连接孔中以将所述第一导电层和所述第二导电层连接；以及层间绝缘膜，其暴露于所述导电部件、所述大直径凹部的底部和所述小直径凹部的顶部。
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